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大島 武; 伊藤 久義; 吉川 正人
第11回粒子線の先端的応用技術に関するシンポジウム(BEAMS 2000)報文集, p.139 - 142, 2000/11
アルミニウム(Al)/炭素(C)共注入によるp型伝導シリコカーバイド(SiC)半導体の最適作製条件を明らかにするため、注入濃度と温度を変化させてAlとC注入を行った。Alは室温~800
で2
10
,210
及び110
/cm
、Cは室温または800で210
~510/cmの範囲で注入した。ホール係数測定より注入層の正孔濃度を求めたところ、低濃度(210/cm以下)Al注入試料では、210~510/cmのC共注入を行うことでAl単独注入に比べ正孔濃度が上昇すること、C濃度が110/cm付近で正孔濃度が最大値を示すことがわかった。これより最適共注入C濃度として110/cmが決定できた。また、Cを800で共注入した試料は室温C共注入試料に比べ高い正孔濃度を示し、高温C共注入の有効性を明確にすることができた。一方、高濃度(110/cm)Al注入の場合は、C共注入によるホール濃度の変化は見られず、Al自体の高温注入により正孔濃度が高められることが確認できた。
単結晶の表面改質八巻 徹也; 住田 泰史; 山本 春也; 宮下 敦巳
第11回粒子線の先端的応用技術に関するシンポジウム(BEAMS 2000)報文集, p.131 - 134, 2000/11
光触媒材料として有望な酸化チタン(TiO)半導体に非金属のFイオンを注入して、その表面改質効果について検討した。TiOルチル(001)基板に200keV F
を注入後、大気中において300,600の熱処理を各5時間行うと、TiO本来の結晶構造はほぼ回復した。試料の光電流スペクトルには、新たな信号が3.4eV付近に観測され、それは注入量の増大とともに突出した。価電子帯内にFによる不純物準位が形成されるという理論計算の結果から、このようなバンドギャップ以上のエネルギー領域における光応答性の向上は、TiOのOサイトにFが高濃度に置換したことに起因すると考えられる。Crなどの金属イオンがドープされるとバンドギャップ内に不純物準位が形成されるのに対し、Fは価電子帯内に不純物準位を形成する。この結果はTiO内で酸化電位のより高い正孔が増大したことを意味しており、光触媒の酸化力が一層強力になることが期待される。
阿部 弘亨; 山本 春也; 宮下 敦巳
第11回粒子線の先端的応用技術に関するシンポジウム(BEAMS 2000)報文集, p.127 - 130, 2000/11
オニオン大量生産に着目した研究を行い、高温イオン注入法を開発した。TIARAのイオン注入装置とロス・アラモス国立研究所のイオン加速器を利用し、570
1070Kにおいて100及び160keVの炭素イオンを銅に注入した。イオン注入組織の電顕観察を行い、オニオンと中空カプセルを観察した。形成量を温度などの照射因子で調べ、サイズや形成条件の最適化を行った。生成量は温度に依存せず、約0.1mgであった。温度や注入量依存性等からオニオンとカプセルが2種類の異なる過程を経て形成されるということがわかり、これらは電顕内イオン注入実験によるその場観察によって確かめられた。結晶性の良い大きなオニオンの生成には放射線照射法のみが有効であることが示された。
岩瀬 彰宏
第11回粒子線の先端的応用技術に関するシンポジウム(BEAMS 2000)報文集, p.123 - 126, 2000/00
高エネルギービーム(イオン,光)を照射した物質において、電子励起についやされたエネルギーが、格子に移行し、緩和していく過程について、特に高温超伝導体,金属の場合を中心に、解説した。